三星已确保3nm工艺良品率稳定 计划明年6月量产
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从韩国媒体的报道来看，三星电子3nm制程工艺计划在明年6月份开始量产，是三星电子方面的一名高管，当地时间周三在以在线方式举行的三星代工论坛上透露的。
三星电子的3nm工艺，并未继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）技术，而是采用全环绕栅极晶体管（GAA）技术。三星方面表示，采用这一工艺代工的芯片，性能较5nm将提升50%，能耗降低50%。
三星电子方面对3nm工艺寄予厚望，多年前就已开始研发事宜。在今年6月底，有外媒在报道中表示，三星电子的3nm工艺已成功流片，距离量产又更近了一步。
目前在推进3nm工艺的另一家，是当前全球最大的芯片代工商台积电，在近几个季度的财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家均透露他们的这一工艺在按计划推进，计划今年下半年风险试产，明年大规模量产。
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