三星有望在2022年实现3nm GAE芯片制造工艺的部署

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（来自：微博 @科技芯时空）

FinFET 技术方面，5LPP 和 4LPP 节点都是路线图上的新节点，分别将于 2021 / 2022 年开启大批量制造（HVM）。

GAA 技术方面，路线图中看不到 3GAE，但出现了 3GAP 。在与三星取得联系后，公司一位代表向AnandTech证实，3GAE 技术仍有望在 2022 年实现量产，但不是所有人都能够用上。

此外从 PPT 来看，可知基于 MBCFET 的 3GAP 工艺将于 2023 年的某个时候，转入大批量制造阶段。

三星发言人称：“至于 3GAE 工艺，我们一直在与客户进行商议，预计可于 2022 年实现量产”。

AnandTech 预计，之所以没有在公共路线图中出现，或许是 3GAE 仅适用于三星自家的 LSI 部门，就像其它一些早期节点那样。即便如此，该公司还是在 PPT 上提到了上一代早期节点。

据悉，三星最初于 2019 年 5 月宣布了基于 MBCFET 的 3GAE 和 3GAP 节点。 当时该公司承诺，与 7LPP 相比，3GAE 可提升 35% 的性能、减少 45% 的面积、同时降低 50% 的功耗。

然后，该公司宣布了 3nm PDK v0.1 的可用性，当时宣称将于 2021 年底开启 3GAE 的量产。然而最新消息称，受多方面因素的影响，三星已将之延期至 2022 年。

不过从好的一面来看，三星已于几周前完成了首批 3nm 测试芯片的流片，且宣布了与新制造技术兼容的 Synopsys EDA 工具。

AnandTech 指出，使用全新晶体管制造工艺，始终是一项艰巨的挑战。除了新的电子设计自动化（EDA）工具，厂商还需动用全新的 IP，预计后续可听到更多有关这方面的消息披露。

最后，尽管普通客户似乎要等到 2023 年，才会用上三星的 3nm 制程。但新发布的 4LPP 工艺，仍将于 2022 年满足大部分客户的需求。

由于 4LPP 依赖于熟悉的 FinFET 工艺，其面临的设计挑战，将较任何 3nm GAA 工艺要少得多。需要注意的是，三星已在 PPT 上，将其 5nm 和 4nm 节点，分别视作不同的工艺分支。

此前代工厂将 4LPE 视作 7LPP 的工艺演进，这或许是因为 4nm 提供了较 5nm 更显著的功率、性能、面积、以及成本优势（简称 PPAc），亦或存在其它实质性的内部变化（比如新材料、极紫外 / EUV 光刻等显著提升）。